Fjlpqce

Хидэо Хосоно
яп. 細野秀雄
Дата рождения	7 сентября 1953(1953-09-07) (66 лет)
Место рождения	Сайтама, Япония
Страна	Япония
Место работы	Токийский технологический институт Nagoya Institute of Technology[d]
Альма-матер	Tokyo Metropolitan University[d]
Награды и премии	Императорская премия Японской академии (2015) Премия Японии Von Hippel Award[d] (2018) иностранный член Лондонского королевского общества[d] (2017)

Хидэо Хосоно (род. 7 сентября 1953, Кавагоэ, Япония) — японский физик, материаловед. Профессор Токийского технологического института, иностранный член Лондонского королевского общества (2017).

Окончил Токийский столичный университет (1977), там же получил докторскую степень в 1982 году. С того же года преподавал в Нагойском технологическом институте. В 1988—1989 гг. фелло-постдок в Университете Вандербильта. С 1997 года профессор (полный с 1999 года) Токийского технологического института.

Карьера и исследования[править | править код]

Хосоно является пионером в разработке прозрачных оксидных полупроводников: он предложил концепцию дизайна материала для прозрачного аморфного оксидного полупроводника (TAOS) с большой подвижностью электронов, продемонстрировал превосходные характеристики тонкоплёночных транзисторов TAOS для дисплеев следующего поколения и успешно преобразовал компонент цемента 12CaO · 7Al2O3 в прозрачный полупроводник, металл и, возможно, сверхпроводники^{[1][2] [3]}.

Награды и отличия[править | править код]

• 1991 — Otto-Schott Research Award, Германия
• 1994 — W. H. Zachariasen Award
• 1997 — Ichimura Scientific Award
• 2001 — Inoue Scientific Award
• 2009 — Fujiwara Prize
• 2009 — Bernd T. Matthias Prize^[en]
• 2010 — Премия Асахи
• 2011 — Jan Rajchman Prize
• 2012 — Nishina Memorial Prize^[en]
• 2013 — Honda Memorial Prize
• 2013 — Thomson Reuters Citation Laureate
• 2015 — Премия Японской академии наук & Императорская премия Японской академии наук
• 2015 — Премия Джеймса Макгруди за исследования в области новых материалов Американского физического общества
• 2016 — Премия Японии^[4]

Награждён Медалью с пурпурной лентой (2009).

Публикации[править | править код]

Ниже приведён список 10 самых популярных публикаций Хосоно, упорядоченный по количеству упоминаний согласно Web of Science:

• Kamihara, Y.; Watanabe, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Iron-Based Layered Superconductor La[O_1−xF_xFeAs (x = 0.05–0.12) with T_c= 26 K] (англ.) // Journal of the American Chemical Society (англ.)русск. : journal. — 2008. — Vol. 130, no. 11. — P. 3296—3297. — DOI:10.1021/ja800073m. — PMID 18293989.
• Nomura, K.; Ohta, H.; Takagi, A.; Kamiya, T.; Hirano, M.; Hosono, H. Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors (англ.) // Nature : journal. — 2004. — Vol. 432, no. 7016. — P. 488—492. — DOI:10.1038/nature03090. — Bibcode: 2004Natur.432..488N. — PMID 15565150.
• Kawazoe, H.; Yasukawa, M.; Hyodo, H.; Kurita, M.; Yanagi, H.; Hosono, H. P-type electrical conduction in transparent thin films of CuAlO₂ (англ.) // Nature : journal. — 1997. — Vol. 389, no. 6654. — P. 939. — DOI:10.1038/40087. — Bibcode: 1997Natur.389..939K.
• K; Nomura; Ohta, H; Ueda, K; Kamiya, T; Hirano, M; Hosono, H. Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor (англ.) // Science : journal. — 2003. — Vol. 300, no. 5623. — P. 1269—1272. — DOI:10.1126/science.1083212. — Bibcode: 2003Sci...300.1269N. — PMID 12764192.
• Takahashi, H.; Igawa, K.; Arii, K.; Kamihara, Y.; Hirano, M.; Hosono, H. Superconductivity at 43 K in an iron-based layered compound LaO_1−xF_xFeAs (англ.) // Nature : journal. — 2008. — Vol. 453, no. 7193. — P. 376—378. — DOI:10.1038/nature06972. — Bibcode: 2008Natur.453..376T. — PMID 18432191.
• Kamiya, Toshio; Nomura, Kenji; Hosono, Hideo. Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors (англ.) // Science and Technology of Advanced Materials : journal. — 2016. — Vol. 11, no. 4. — P. 044305. — DOI:10.1088/1468-6996/11/4/044305. — Bibcode: 2010STAdM..11d4305K. — PMID 27877346.
• Kamihara, Yoichi; Hiramatsu, Hidenori; Hirano, Masahiro; Kawamura, Ryuto; Yanagi, Hiroshi; Kamiya, Toshio; Hosono, Hideo. Iron-Based Layered Superconductor: LaOFeP (англ.) // Journal of the American Chemical Society (англ.)русск. : journal. — 2006. — Vol. 128, no. 31. — P. 10012—10013. — DOI:10.1021/ja063355c. — PMID 16881620.
• Yabuta, Hisato; Sano, Masafumi; Abe, Katsumi; Aiba, Toshiaki; Den, Tohru; Kumomi, Hideya; Nomura, Kenji; Kamiya, Toshio; Hosono, Hideo. High-mobility thin-film transistor with amorphous InGaZnO₄ channel fabricated by room temperature rf-magnetron sputtering (англ.) // Applied Physics Letters : journal. — 2006. — Vol. 89, no. 11. — P. 112123. — DOI:10.1063/1.2353811. — Bibcode: 2006ApPhL..89k2123Y.
• Ohta, H.; Kim, S.; Mune, Y.; Mizoguchi, T.; Nomura, K.; Ohta, S.; Nomura, T.; Nakanishi, Y.; Ikuhara, Y.; Hirano, M.; Hosono, H.; Koumoto, K. Giant thermoelectric Seebeck coefficient of two-dimensional electron gas in SrTiO₃ (англ.) // Nature Materials : journal. — 2007. — Vol. 6, no. 2. — P. 129—134. — DOI:10.1038/nmat1821. — Bibcode: 2007NatMa...6..129O. — PMID 17237790.
• Ishida, Kenji; Nakai, Yusuke; Hosono, Hideo. To What Extent Iron-Pnictide New Superconductors Have Been Clarified: A Progress Report (англ.) // Journal of the Physical Society of Japan (англ.)русск. : journal. — 2009. — Vol. 78, no. 6. — P. 062001. — DOI:10.1143/JPSJ.78.062001. — Bibcode: 2009JPSJ...78f2001I. — arXiv:0906.2045.

Ссылки[править | править код]

• Премия Японии

Примечания[править | править код]